供應鏈相關人士透露,瑞薩的核心優(yōu)勢在于運算類邏輯IC,而在功率半導體領域,該公司過去主要專注于絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。近年來,瑞薩開始布局第三代半導體,包括SiC和氮化鎵(GaN),以迎合電動車行業(yè)的增長需求。
然而,2024年全球電動車市場增長放緩,歐美日等主要汽車制造商紛紛調整戰(zhàn)略,導致瑞薩預期的SiC訂單大幅減少。尤其在中國市場——全球最大的電動車銷售地區(qū),本土品牌已占據超過60%的份額。與此同時,日系車企如豐田(Toyota)和本田(Honda)正加大與中國廠商的合作力度,瑞薩可能認為該市場的盈利空間已被大幅壓縮。
行業(yè)數(shù)據顯示,由于中國碳化硅產能的快速擴張,SiC襯底價格正以遠超市場增速的速度下滑。2024年下半年,6英寸SiC襯底價格已跌破500美元,逼近成本線,相比2022年的峰值暴跌超90%。
2025年美國可能提高汽車進口關稅,這將進一步沖擊日本汽車產業(yè),削弱SiC功率半導體的需求。在此背景下,有傳聞稱瑞薩正考慮出售SiC相關資產,因其設備利用率較高且投入時間較短。不過,這一消息仍需以官方公告為準。
瑞薩近期與美國半導體制造商Polar Semiconductor達成戰(zhàn)略合作,后者將為其生產符合車規(guī)標準的650伏8英寸GaN元件。此舉表明,瑞薩正調整其第三代半導體戰(zhàn)略,可能將重心轉向GaN而非SiC,以迎合美國市場需求。市場分析認為,瑞薩未來或將資源集中于車規(guī)級邏輯IC業(yè)務。
2024年全球SiC功率半導體市場排名中,比亞迪、士蘭微、斯達半導體等三家中國企業(yè)進入全球前十。相比之下,國際SiC廠商正面臨嚴峻挑戰(zhàn):美國Wolfspeed因65億美元債務瀕臨破產重組;日本羅姆半導體(Rohm)因8英寸產線轉型導致12年來首次虧損;意法半導體(STM)受特斯拉銷量拖累,市場份額下滑;英飛凌(Infineon)和安森美(Onsemi)則紛紛裁員并調整業(yè)務結構。