中國芯有望彎道超車！第三代光刻機(jī)突破，外媒：這很厲害-廣東奇力新代理商/深圳風(fēng)華代理商/深圳奇力新代理/風(fēng)華高科代理/ 國巨代理，深圳華新科代理，深圳風(fēng)華代理，深圳電容電阻電感

據(jù)報道，全球缺芯已經(jīng)波及到了169個行業(yè)。并且多位芯片行業(yè)人士表示，短期內(nèi)芯片短缺依然難以緩解，至少會持續(xù)到今年下半年，甚至2023年都有可能持續(xù)存在。

因此，芯片越來越受到重視。為了確保芯片供應(yīng)，各地紛紛開始投資建廠，想要提升本土芯片制造能力。這讓芯片制造設(shè)備顯得更加重要，然而這也是我們一大痛點。

不過，近日好消息傳來，國內(nèi)第三代光刻機(jī)實現(xiàn)突破，這究竟是什么情況呢？

我們知道，芯片制造離不開半導(dǎo)體設(shè)備。提到設(shè)備，大家可能迅速就想到光刻機(jī)。光刻機(jī)確實是芯片制造過程中必不可少的關(guān)鍵設(shè)備之一，但芯片設(shè)備遠(yuǎn)不止這一個。

芯片的制造工藝相當(dāng)復(fù)雜，一條生產(chǎn)線大約涉及50多個行業(yè)、2000-5000道工序。

首先需要先將“砂子”提純成硅，再切成晶圓。然后芯片制造分前后兩道工藝，前道包括光刻、薄膜、刻蝕、清洗、注入，后道主要是封裝——互聯(lián)、打線、密封。

幾乎芯片制造的每個工藝都需要不同的設(shè)備，除了光刻機(jī)外，還有刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、鍍膜機(jī)、清洗機(jī)、顯影機(jī)等幾十種設(shè)備，每一個芯片設(shè)備都是不可或缺的。

然而，半導(dǎo)體設(shè)備卻是我們的短板，一直以來被國外少數(shù)廠商壟斷，制約著芯片行業(yè)的發(fā)展。要想打造國內(nèi)自主的芯片產(chǎn)業(yè)鏈，首先就得在芯片設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。

不過，我們在設(shè)備方面也一直在努力。近日，國內(nèi)又一半導(dǎo)體設(shè)備實現(xiàn)了突破。

中國電子科技集團(tuán)第二研究所傳來好消息，在SiC激光剝離設(shè)備研制方面，取得突破性進(jìn)展。研制的激光垂直改質(zhì)剝離設(shè)備，能實現(xiàn)小尺寸碳化硅單晶片的激光剝離。

這個突破很不簡單，激光垂直改質(zhì)剝離設(shè)備被譽為“第三代半導(dǎo)體中的光刻機(jī)”。

為什么說是第三代半導(dǎo)體中的光刻機(jī)呢？這是針對半導(dǎo)體材料來說的，跟我們平常所說的芯片制造光刻機(jī)不同，DUV、EUV光刻機(jī)屬于生產(chǎn)硅基芯片的前道光刻機(jī)。

先介紹下三代半導(dǎo)體材料：第一代主要是硅（Si），第二代主要是砷化鎵（GaAs），第三代主要是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石。

我們現(xiàn)在所用的芯片大多用的是第一代半導(dǎo)體材料，所以被稱為硅基芯片。

在第一二代半導(dǎo)體材料上，我們起步較晚，導(dǎo)致受制于人。而在第三代半導(dǎo)體材料上我們起步跟國外差不多，且第三代材料相比一二代優(yōu)點更多，因此不能錯過機(jī)會。

上邊提到的第三代半導(dǎo)體材料，其中氮化鎵（GaN）的應(yīng)用就非常廣泛，像現(xiàn)在手機(jī)實現(xiàn)120W超級快充用的就是氮化鎵芯片，在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等也有運用。

第三代半導(dǎo)體材料的另一個重點就是碳化硅（SiC），具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、化學(xué)性能穩(wěn)定等優(yōu)點，對新能源汽車、通訊基站、衛(wèi)星通訊等領(lǐng)域發(fā)展有重要意義。

在新能源車上，SiC主要用于功率控制單元(PCU)、逆變器，及車載充電器等方面。

然而，碳化硅（SiC）的材料硬度與金剛石相近?，F(xiàn)在的加工工藝不僅切割速度慢，而且晶體與切割線的損耗都非常大，結(jié)果導(dǎo)致材料價格高昂，推廣也受到限制。

中電科二所突破的激光垂直改質(zhì)剝離設(shè)備，就解決了這個問題。通過激光剝離技術(shù)，能夠大大降低SiC的材料損耗，同時又能夠使生產(chǎn)工藝的速度和效率大大加強。

實現(xiàn)小尺寸SiC（碳化硅）單晶片的激光剝離，為國產(chǎn)制備碳化硅芯片奠定基礎(chǔ)。

半導(dǎo)體設(shè)備和材料處于芯片產(chǎn)業(yè)鏈的上游，這是芯片行業(yè)實現(xiàn)自主化的基礎(chǔ)。

如今的芯片行業(yè)，我們基本上也都明白，芯片規(guī)則發(fā)生改變，自由貿(mào)易受到了一定限制，芯片自主化已經(jīng)提上了日程。因此，在設(shè)備和材料上，我們也必須實現(xiàn)突破。

現(xiàn)在，半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展到了第三代，應(yīng)用越來越廣泛，發(fā)展前景也非常好。并且我們在這領(lǐng)域的研發(fā)優(yōu)勢也很明顯，這將是我們中國芯實現(xiàn)彎道超車的重要良機(jī)。

我們絕對不能再錯過第三代半導(dǎo)體材料這個機(jī)會。對此，國家和地方也出臺了相關(guān)政策，鼓勵、引導(dǎo)、推進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展，努力實現(xiàn)材料和設(shè)備國產(chǎn)化。

中電科二所就是抓住了這個發(fā)展機(jī)會，突破了 “第三代半導(dǎo)體中的光刻機(jī)”！相信在國內(nèi)研發(fā)人員的努力下，還會有更多的材料和設(shè)備實現(xiàn)突破，中國芯前景更光明！