英特爾董事：未來芯片制造將更依賴刻蝕而非光刻

英特爾董事：未來芯片制造將更依賴刻蝕而非光刻

英特爾董事：未來芯片制造將更依賴刻蝕而非光刻

英特爾一位董事認為，未來的晶體管設計可能會降低制造高端半導體時對先進光刻設備的需求。

ASML公司的極紫外（EUV）光刻機是現(xiàn)代先進芯片制造的支柱，因為它們使臺積電等公司能夠在硅片上打印極小的電路。據(jù)了解，EUV技術(shù)極為復雜，一臺EUV光刻設備需要多項跨學科技術(shù)的協(xié)同支持，才能實現(xiàn)具備成本效益的量產(chǎn)能力。ASML曾在多年前研究過其他技術(shù)路徑，但最終放棄。迄今并無可靠數(shù)據(jù)表明已有成熟的EUV系統(tǒng)正在開發(fā)中。

然而，這位英特爾董事認為，未來的晶體管設計，包括環(huán)繞柵極場效應晶體管（GAAFET）和互補場效應晶體管（CFET），將更多地依賴光刻后的制造步驟，并降低光刻技術(shù)在制造高端芯片中的整體重要性。

一位不愿透露姓名的英特爾董事表示，未來的傳輸設計將減少對先進光刻設備的依賴，而更多地依賴刻蝕技術(shù)。雖然光刻機是最受關(guān)注的芯片制造設備，但制造芯片還涉及其他步驟。

光刻是該工藝的第一步，它將設計轉(zhuǎn)移到晶圓上。然后，這些設計通過沉積和刻蝕等工藝固定下來。在沉積過程中，芯片制造商將材料沉積在晶圓上，而刻蝕則選擇性地去除這些材料，從而形成芯片晶體管和電路的圖案。

英特爾董事表示，GAAFET和CFET等新型晶體管設計可以降低光刻機在芯片制造過程中的重要性。這些機器，尤其是EUV光刻機，由于能夠在晶圓上轉(zhuǎn)移或打印小型電路設計，在制造7nm及先進技術(shù)的芯片方面發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。

設計轉(zhuǎn)移后，刻蝕會去除晶圓上多余的材料，最終完成設計。目前大多數(shù)晶體管設計遵循FinFET模型，其中晶體管連接到底部的絕緣材料，并通過控制其內(nèi)部電流的柵極。較新的設計，例如GAAFET，將柵極包裹在晶體管周圍，晶體管組并聯(lián)放置。超高端晶體管設計，例如CFET，將晶體管組堆疊在一起，從而節(jié)省晶圓上的空間。

英特爾董事表示，由于GaaFET和 CFET 設計從四面八方“包裹”柵極，因此去除晶圓上多余的材料至關(guān)重要。這種“包裹”要求芯片制造商橫向去除多余的材料，因此，與其增加晶圓在光刻機上的時間以減小特征尺寸，不如將更多精力放在通過刻蝕去除材料上。

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