根據(jù)韓國媒體ZDNet Korea的報道，三星電子近期與長江存儲達成了一項關(guān)于3D NAND“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術(shù)的專利許可協(xié)議。從第10代V-NAND（V10）開始，三星將采用長江存儲的專利技術(shù)進行生產(chǎn)。
三星的第10代V-NAND（V10）將引入多項創(chuàng)新技術(shù)，其中最為關(guān)鍵的是晶圓對晶圓（wafer-to-wafer）形式的混合鍵合技術(shù)。該技術(shù)的主要優(yōu)勢在于提升效能和散熱特性，從而顯著提高生產(chǎn)效率。
報道指出，三星選擇與長江存儲合作，主要是因為長江存儲早在四年前就已建立了完善的混合鍵合專利體系，并與Xperi和臺積電共同主導該領(lǐng)域。這使得三星難以繞過相關(guān)專利。
在開發(fā)第10代V-NAND（V10）時，三星面臨堆疊層數(shù)超過400層后的可靠性問題。長江存儲的混合鍵合技術(shù)（Xtacking）通過晶圓直接貼合（W2W），縮短了電氣路徑并提升了散熱能力，成為解決這一技術(shù)難題的關(guān)鍵。
在傳統(tǒng)的3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%。然而，隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路所占的芯片面積可能超過50%。此外，這種方法最多可容納300多層的NAND。
因此，對于3D NAND制造商而言，混合鍵合技術(shù)已成為發(fā)展400層以上NAND堆疊的核心技術(shù)。長江存儲的混合鍵合技術(shù)將推動高堆疊層數(shù)的3D NAND制造向CBA（CMOS鍵合陣列）架構(gòu)轉(zhuǎn)型。
目前，長江存儲自主研發(fā)的混合鍵合技術(shù)已進展到4.x版本，并成功量產(chǎn)了160層、192層和232層產(chǎn)品。最新研究報告顯示，長江存儲今年早些時候還成功實現(xiàn)了2yy（預估270層）3D TLC（三級單元）NAND的商業(yè)化。
TechInsights指出：“長江存儲的2yy 3D NAND是市場上密度最高的NAND產(chǎn)品，并且是業(yè)內(nèi)首個實現(xiàn)超過20Gb/mm2位密度的3D NAND?！?/p>
隨著NAND技術(shù)向更高層數(shù)（如V10、V11、V12）演進，三星將需要持續(xù)依賴長江存儲的專利支持。韓媒預計，SK海力士也可能會跟進合作。2024年2月，SK海力士副社長金春煥在“SEMICON Korea 2024”主題演講中透露，SK海力士正在開發(fā)下一代平臺，將通過混合鍵合技術(shù)提高400層等級NAND產(chǎn)品的經(jīng)濟性和量產(chǎn)性。
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